PMC3281 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMC3281  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO3PL

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PMC3281

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMC3281 даташит

 ..1. Size:188K  pmc components
 pmc3281.pdf pdf_icon

PMC3281

PMC3281 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR designed for power amplifier applications. TO-3PL MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 200 V Collector Emitter Voltage VCEO 200 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 15 A Base Current IB 1.5 A Collector power Dissipation Tc= 25 C PC 150 W Junction Temperature

Другие транзисторы: 2SC1623-L7, 2SC1645S, 2SC1008-G, 2SC1008-O, 2SC1008-R, 2SC1008-Y, 2SC1074S, 2SC1074S-TO3, C3198, PMC3356, PMC3358, PMC3907, PMC4106, PXT8050-C, PXT8050-D, PXT8050-D3, PXT8550-B