PMC3356 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMC3356  📄📄 

Código: R23_R24_R25

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 7000 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: SOT23

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PMC3356 datasheet

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PMC3356

PMC3356 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. SOT-23 MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 20 V Collector Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter Base Voltage VEBO 3 V Collector Current IC 100 mA 1 Base Total Power Dissipation Ptot 200 mW 2 Emitter Junction Temperat

 8.1. Size:189K  pmc components
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PMC3356

PMC3358 NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 20 V Collector Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter Base Voltage VEBO 3 V Collector Current IC 100 mA Collector power Dissipation Ptot 250 mW 1 Base Junction Temperature TjMAX 150

Otros transistores... 2SC1645S, 2SC1008-G, 2SC1008-O, 2SC1008-R, 2SC1008-Y, 2SC1074S, 2SC1074S-TO3, PMC3281, 2SC945, PMC3358, PMC3907, PMC4106, PXT8050-C, PXT8050-D, PXT8050-D3, PXT8550-B, PXT8550-C