PMC3356 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMC3356  📄📄 

Маркировка: R23_R24_R25

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PMC3356

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMC3356 даташит

 ..1. Size:163K  pmc components
 pmc3356.pdf pdf_icon

PMC3356

PMC3356 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. SOT-23 MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 20 V Collector Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter Base Voltage VEBO 3 V Collector Current IC 100 mA 1 Base Total Power Dissipation Ptot 200 mW 2 Emitter Junction Temperat

 8.1. Size:189K  pmc components
 pmc3358.pdf pdf_icon

PMC3356

PMC3358 NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 20 V Collector Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter Base Voltage VEBO 3 V Collector Current IC 100 mA Collector power Dissipation Ptot 250 mW 1 Base Junction Temperature TjMAX 150

Другие транзисторы: 2SC1645S, 2SC1008-G, 2SC1008-O, 2SC1008-R, 2SC1008-Y, 2SC1074S, 2SC1074S-TO3, PMC3281, 2SC945, PMC3358, PMC3907, PMC4106, PXT8050-C, PXT8050-D, PXT8050-D3, PXT8550-B, PXT8550-C