Биполярный транзистор PMC3356 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PMC3356
Маркировка: R23_R24_R25
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT23
PMC3356 Datasheet (PDF)
pmc3356.pdf
PMC3356 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. SOT-23 MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 C) Characteristic Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 20 VCollector Emitter Voltage VCEO 12 VEmitter Base Voltage VEBO 3 VCollector Current IC 100 mA1 : Base Total Power Dissipation Ptot 200 mW 2 : Emitter Junction Temperat
pmc3358.pdf
PMC3358 NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 20 VCollector Emitter Voltage VCEO 15 VEmitter Base Voltage VEBO 3 VCollector Current IC 100 mACollector power Dissipation Ptot 250 mW 1 : Base Junction Temperature TjMAX 150
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
