PZT651T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PZT651T1G
Código: 651
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 75 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: SOT223
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PZT651T1G datasheet
pzt651t1g.pdf
PZT651 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface www.onsemi.com mount applications. SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT thermal conduction, and allo
pzt651.pdf
PZT651 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface www.onsemi.com mount applications. SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT thermal conduction, and allo
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