PZT651T1G Todos los transistores

 

PZT651T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PZT651T1G
   Código: 651
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 75 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de PZT651T1G

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PZT651T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  onsemi
 pzt651t1g.pdf pdf_icon

PZT651T1G

PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo

 8.1. Size:58K  onsemi
 pzt651.pdf pdf_icon

PZT651T1G

PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo

Otros transistores... PXT8050-D3 , PXT8550-B , PXT8550-C , PXT8550-D , PXT8550-D3 , PXTA44 , PZT2222 , PZT3904T1G , 2SD669 , PZT751T1G , PZTA28 , PZTA42T1G , PZTA43 , PZTA45 , PZTA92T1G , PZTA93 , PZTA96ST1G .

History: NST65010MW6 | 2SC430 | 2PC4617QMB | BCY58 | MMBT3904C | 2SA1150O

 

 
Back to Top

 


 
.