Справочник транзисторов. PZT651T1G

 

Биполярный транзистор PZT651T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PZT651T1G
   Маркировка: 651
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для PZT651T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT651T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  onsemi
 pzt651t1g.pdf pdf_icon

PZT651T1G

PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo

 8.1. Size:58K  onsemi
 pzt651.pdf pdf_icon

PZT651T1G

PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo

Другие транзисторы... PXT8050-D3 , PXT8550-B , PXT8550-C , PXT8550-D , PXT8550-D3 , PXTA44 , PZT2222 , PZT3904T1G , 2SD669 , PZT751T1G , PZTA28 , PZTA42T1G , PZTA43 , PZTA45 , PZTA92T1G , PZTA93 , PZTA96ST1G .

History: BC848BQ | 2N3400 | 2SA1317R | 2SA1442 | 2SC4541 | 2N3338 | 2SC4579

 

 
Back to Top

 


 
.