Биполярный транзистор PZT651T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PZT651T1G
Маркировка: 651
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для PZT651T1G
PZT651T1G Datasheet (PDF)
pzt651t1g.pdf
PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo
pzt651.pdf
PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050