PZT651T1G - описание и поиск аналогов

 

PZT651T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PZT651T1G

Маркировка: 651

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для PZT651T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PZT651T1G даташит

 ..1. Size:63K  onsemi
 pzt651t1g.pdf pdf_icon

PZT651T1G

PZT651 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface www.onsemi.com mount applications. SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT thermal conduction, and allo

 8.1. Size:58K  onsemi
 pzt651.pdf pdf_icon

PZT651T1G

PZT651 NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor This NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface www.onsemi.com mount applications. SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved SOT-223 PACKAGE HIGH CURRENT thermal conduction, and allo

Другие транзисторы: PXT8050-D3, PXT8550-B, PXT8550-C, PXT8550-D, PXT8550-D3, PXTA44, PZT2222, PZT3904T1G, TIP2955, PZT751T1G, PZTA28, PZTA42T1G, PZTA43, PZTA45, PZTA92T1G, PZTA93, PZTA96ST1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.