Справочник транзисторов. PZT651T1G

 

Биполярный транзистор PZT651T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PZT651T1G
   Маркировка: 651
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PZT651T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  onsemi
 pzt651t1g.pdf pdf_icon

PZT651T1G

PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo

 8.1. Size:58K  onsemi
 pzt651.pdf pdf_icon

PZT651T1G

PZT651NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use inindustrial and consumer applications. The device is housed in theSOT-223 package which is designed for medium power surfacewww.onsemi.commount applications.SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improvedSOT-223 PACKAGE HIGH CURRENTthermal conduction, and allo

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3312 | AC191 | JE9112 | T2478 | DC5023 | AC123 | DTA125TKA

 

 
Back to Top

 


 
.