QS5W1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QS5W1
Código: W01
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 270 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 16 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: TSMT5
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QS5W1 datasheet
qs5w1.pdf
Data Sheet Midium Power Transistors (30V / 3A) QS5W1 Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor TSMT5 Features 1) Low saturation voltage VCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) 2) High speed switching (1) Tr.1 Base (2) Emitter (3) Tr.2 Base Applications (4) Tr.2 Collector Abbreviated symbol W01 (5) Tr.1 Collector Low Freque
Otros transistores... PZT751T1G , PZTA28 , PZTA42T1G , PZTA43 , PZTA45 , PZTA92T1G , PZTA93 , PZTA96ST1G , TIP142 , QS5W2 , QS5Y1 , QS5Y2 , QS6Z5 , QSH29 , QSL10 , QSL11 , QSL12 .
History: HUN5212 | NSD134 | 2SC536K | TTC004 | WTM669A | MA898 | CT5606
History: HUN5212 | NSD134 | 2SC536K | TTC004 | WTM669A | MA898 | CT5606
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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