Справочник транзисторов. QS5W1

 

Биполярный транзистор QS5W1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: QS5W1
   Маркировка: W01
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 270 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TSMT5
 

 Аналог (замена) для QS5W1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

QS5W1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  rohm
 qs5w1.pdf pdf_icon

QS5W1

Data SheetMidium Power Transistors (30V / 3A) QS5W1 Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistorTSMT5 Features1) Low saturation voltageVCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)2) High speed switching(1) Tr.1 Base(2) Emitter(3) Tr.2 Base Applications(4) Tr.2 Collector Abbreviated symbol : W01(5) Tr.1 CollectorLow Freque

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.