QS5W1 - описание и поиск аналогов

 

QS5W1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QS5W1

Маркировка: W01

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 270 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TSMT5

 Аналоги (замена) для QS5W1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

QS5W1 даташит

 ..1. Size:506K  rohm
 qs5w1.pdf pdf_icon

QS5W1

Data Sheet Midium Power Transistors (30V / 3A) QS5W1 Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor TSMT5 Features 1) Low saturation voltage VCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) 2) High speed switching (1) Tr.1 Base (2) Emitter (3) Tr.2 Base Applications (4) Tr.2 Collector Abbreviated symbol W01 (5) Tr.1 Collector Low Freque

Другие транзисторы: PZT751T1G, PZTA28, PZTA42T1G, PZTA43, PZTA45, PZTA92T1G, PZTA93, PZTA96ST1G, TIP142, QS5W2, QS5Y1, QS5Y2, QS6Z5, QSH29, QSL10, QSL11, QSL12

 

 

 

 

↑ Back to Top
.