QS5Y1 Todos los transistores

 

QS5Y1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS5Y1
   Código: Y01
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 270 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TSMT5
 

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QS5Y1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  rohm
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QS5Y1

Data SheetMidium Power Transistors (30V / 3A) QS5Y1 Structure Dimensions (Unit : mm)PNP/NPN Silicon epitaxial planar transistorTSMT5 Features1) Low saturation voltage, typicallyVCE (sat) = -0.40V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA)VCE (sat) = 0.40V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)(1) Tr.1 Base2) High speed switching(2) Emitter(3) Tr.2 Base(4) Tr.2 CollectorAbbre

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History: 2SA1162G

 

 
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