QS5Y1 Todos los transistores

 

QS5Y1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QS5Y1
   Código: Y01
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 270 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TSMT5
 

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QS5Y1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  rohm
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QS5Y1

Data SheetMidium Power Transistors (30V / 3A) QS5Y1 Structure Dimensions (Unit : mm)PNP/NPN Silicon epitaxial planar transistorTSMT5 Features1) Low saturation voltage, typicallyVCE (sat) = -0.40V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA)VCE (sat) = 0.40V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)(1) Tr.1 Base2) High speed switching(2) Emitter(3) Tr.2 Base(4) Tr.2 CollectorAbbre

Otros transistores... PZTA42T1G , PZTA43 , PZTA45 , PZTA92T1G , PZTA93 , PZTA96ST1G , QS5W1 , QS5W2 , 13001-A , QS5Y2 , QS6Z5 , QSH29 , QSL10 , QSL11 , QSL12 , QSL9 , QST8 .

History: 2SC1074S | NSV40300MDR2G | 2SC1267 | BC489-18 | 2N357 | 2SD892A | BC531

 

 
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