QS5Y1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QS5Y1
Código: Y01
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 270 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: TSMT5
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QS5Y1 datasheet
qs5y1.pdf
Data Sheet Midium Power Transistors ( 30V / 3A) QS5Y1 Structure Dimensions (Unit mm) PNP/NPN Silicon epitaxial planar transistor TSMT5 Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.40V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA) VCE (sat) = 0.40V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) (1) Tr.1 Base 2) High speed switching (2) Emitter (3) Tr.2 Base (4) Tr.2 Collector Abbre
Otros transistores... PZTA42T1G , PZTA43 , PZTA45 , PZTA92T1G , PZTA93 , PZTA96ST1G , QS5W1 , QS5W2 , MPSA42 , QS5Y2 , QS6Z5 , QSH29 , QSL10 , QSL11 , QSL12 , QSL9 , QST8 .
History: HA7732 | 2SC2011 | WTM649A
History: HA7732 | 2SC2011 | WTM649A
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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