QS5Y1 - описание и поиск аналогов

 

QS5Y1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QS5Y1

Маркировка: Y01

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 270 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TSMT5

 Аналоги (замена) для QS5Y1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

QS5Y1 даташит

 ..1. Size:581K  rohm
 qs5y1.pdf pdf_icon

QS5Y1

Data Sheet Midium Power Transistors ( 30V / 3A) QS5Y1 Structure Dimensions (Unit mm) PNP/NPN Silicon epitaxial planar transistor TSMT5 Features 1) Low saturation voltage, typically VCE (sat) = -0.40V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA) VCE (sat) = 0.40V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA) (1) Tr.1 Base 2) High speed switching (2) Emitter (3) Tr.2 Base (4) Tr.2 Collector Abbre

Другие транзисторы: PZTA42T1G, PZTA43, PZTA45, PZTA92T1G, PZTA93, PZTA96ST1G, QS5W1, QS5W2, MPSA42, QS5Y2, QS6Z5, QSH29, QSL10, QSL11, QSL12, QSL9, QST8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.