QSH29 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QSH29
Código: H29
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
Paquete / Cubierta: TSMT6
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QSH29 Datasheet (PDF)
qsh29.pdf

QSH29DatasheetNPN 500mA 60V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineTSMT6Parameter Value(6) (5) VCEO (4) 60V(1) IC500mA (2) (3) R 10kWQSH29 (SC-95) lFeatures1) Built-In Biasing Resistors lInner circuit2) Built-in bias resistors enable the configuration ofCollector Base Emitter (6) (5) (4) an inverter circuit witho
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KTD525 | BUW12W | KRA121 | BF323 | D62T4540 | RN2318
History: KTD525 | BUW12W | KRA121 | BF323 | D62T4540 | RN2318



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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