QSH29 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QSH29  📄📄 

Маркировка: H29

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TSMT6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для QSH29

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

QSH29 даташит

 ..1. Size:314K  rohm
 qsh29.pdf pdf_icon

QSH29

QSH29 Datasheet NPN 500mA 60V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline TSMT6 Parameter Value (6) (5) VCEO (4) 60V (1) IC 500mA (2) (3) R 10kW QSH29 (SC-95) lFeatures 1) Built-In Biasing Resistors lInner circuit 2) Built-in bias resistors enable the configuration of Collector Base Emitter (6) (5) (4) an inverter circuit witho

Другие транзисторы: PZTA92T1G, PZTA93, PZTA96ST1G, QS5W1, QS5W2, QS5Y1, QS5Y2, QS6Z5, S9018, QSL10, QSL11, QSL12, QSL9, QST8, QST9, QSX7, QSX8