Биполярный транзистор QSH29 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: QSH29
Маркировка: H29
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: TSMT6
QSH29 Datasheet (PDF)
..1. Size:314K rohm
qsh29.pdf
qsh29.pdf
QSH29DatasheetNPN 500mA 60V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineTSMT6Parameter Value(6) (5) VCEO (4) 60V(1) IC500mA (2) (3) R 10kWQSH29 (SC-95) lFeatures1) Built-In Biasing Resistors lInner circuit2) Built-in bias resistors enable the configuration ofCollector Base Emitter (6) (5) (4) an inverter circuit witho
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050