SM58B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM58B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 44 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SM58B
SM58B Datasheet (PDF)
sm58b.pdf

SILICON NPN TRANSISTOR SM58B Advanced Distributed Base Technology Designed For Use In Electronic Ballast Applications Efficient Power Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) BVCBO Collector Base Breakdown Voltage 180V BVCEO Collector Emitter Breakdown Voltage 90V BVEBO Emitter Base Breakdown Voltage 10V IC Colle
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: START499ETR | 2SB1121
History: START499ETR | 2SB1121



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147