SM58B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM58B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 90 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 44 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO220
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SM58B datasheet
sm58b.pdf
SILICON NPN TRANSISTOR SM58B Advanced Distributed Base Technology Designed For Use In Electronic Ballast Applications Efficient Power Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) BVCBO Collector Base Breakdown Voltage 180V BVCEO Collector Emitter Breakdown Voltage 90V BVEBO Emitter Base Breakdown Voltage 10V IC Colle
Otros transistores... SLA4390 , SLA6012 , SLA6020 , SLA6022 , SLA6023 , SLA6024 , SLA6026 , SM56B , TIP127 , SMA4020 , SMA4021 , SMA4030 , SMA4032 , SMA4033 , SMA4036 , SMA6010 , SMA6080 .
History: BD188 | 2SC1465
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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