Биполярный транзистор SM58B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SM58B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 44 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO220
SM58B Datasheet (PDF)
..1. Size:107K semelab
sm58b.pdf
sm58b.pdf
SILICON NPN TRANSISTOR SM58B Advanced Distributed Base Technology Designed For Use In Electronic Ballast Applications Efficient Power Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) BVCBO Collector Base Breakdown Voltage 180V BVCEO Collector Emitter Breakdown Voltage 90V BVEBO Emitter Base Breakdown Voltage 10V IC Colle
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
