BUL66B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUL66B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 100 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO251

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BUL66B datasheet

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BUL66B

BUL66B SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

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BUL66B

BUL66A SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

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