Биполярный транзистор BUL66B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUL66B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO251
BUL66B Datasheet (PDF)
bul66b.pdf
BUL66BSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252)HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)5.46 (0.215) 0.94 (0.037)SILICON POWER TRANSISTOR1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in 5.97 (0.235)6.22 (0.245)electronic ballast applications1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND
bul66a.pdf
BUL66ASEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252)HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)5.46 (0.215) 0.94 (0.037)SILICON POWER TRANSISTOR1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in 5.97 (0.235)6.22 (0.245)electronic ballast applications1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050