Справочник транзисторов. BUL66B

 

Биполярный транзистор BUL66B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL66B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO251
 

 Аналог (замена) для BUL66B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL66B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:14K  semelab
 bul66b.pdf pdf_icon

BUL66B

BUL66BSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252)HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)5.46 (0.215) 0.94 (0.037)SILICON POWER TRANSISTOR1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in 5.97 (0.235)6.22 (0.245)electronic ballast applications1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

 9.1. Size:14K  semelab
 bul66a.pdf pdf_icon

BUL66B

BUL66ASEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252)HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)5.46 (0.215) 0.94 (0.037)SILICON POWER TRANSISTOR1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in 5.97 (0.235)6.22 (0.245)electronic ballast applications1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

Другие транзисторы... BUL416T , BUL45D2G , BUL49DFP , BUL64A , BUL64B , BUL65A , BUL65B , BUL66A , 2N2222A , BUL68A , BUL68B , BUL70A , BUL72A , BUL72B , BUL52ASMD , BUL52BSMD , BUL53ASMD .

History: FMBSA56

 

 
Back to Top

 


 
.