BUL66B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUL66B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUL66B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL66B даташит

 ..1. Size:14K  semelab
 bul66b.pdf pdf_icon

BUL66B

BUL66B SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

 9.1. Size:14K  semelab
 bul66a.pdf pdf_icon

BUL66B

BUL66A SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) SILICON POWER TRANSISTOR 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) electronic ballast applications 1 2 3 SEMEFAB DESIGNED AND

Другие транзисторы: BUL416T, BUL45D2G, BUL49DFP, BUL64A, BUL64B, BUL65A, BUL65B, BUL66A, 2SC1815, BUL68A, BUL68B, BUL70A, BUL72A, BUL72B, BUL52ASMD, BUL52BSMD, BUL53ASMD