2N6649 Todos los transistores

 

2N6649 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6649
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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2N6649 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:146K  mospec
 2n6383-85 2n6648-49 2n6650.pdf pdf_icon

2N6649

AAA

 9.2. Size:184K  inchange semiconductor
 2n6648.pdf pdf_icon

2N6649

isc Product Specificationisc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor 2N6648DESCRIPTIONWith TO-3 packagingBuilt-in base-emitter shunt resistorsVery high DC current gainComplement to type 2N6648Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ignitionAlternator regulatorMotor controlsPower switchin

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History: BD13716S

 

 
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