2N6649 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6649  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO66

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N6649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6649 даташит

 9.1. Size:146K  mospec
 2n6383-85 2n6648-49 2n6650.pdf pdf_icon

2N6649

A A A

 9.2. Size:184K  inchange semiconductor
 2n6648.pdf pdf_icon

2N6649

isc Product Specification isc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor 2N6648 DESCRIPTION With TO-3 packaging Built-in base-emitter shunt resistors Very high DC current gain Complement to type 2N6648 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Electronic ignition Alternator regulator Motor controls Power switchin

Другие транзисторы: 2N6618, 2N6619, 2N662, 2N6620, 2N6621, 2N6622, 2N663, 2N6648, TIP41, 2N665, 2N6650, 2N6653, 2N6653-1, 2N6653-2, 2N6653-3, 2N6653A, 2N6653B