Биполярный транзистор 2N6649 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N6649
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO66
2N6649 Datasheet (PDF)
9.2. Size:184K inchange semiconductor
2n6648.pdf
2n6648.pdf
isc Product Specificationisc Silicon PNP Darlingtion Power Transistor 2N6648DESCRIPTIONWith TO-3 packagingBuilt-in base-emitter shunt resistorsVery high DC current gainComplement to type 2N6648Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ignitionAlternator regulatorMotor controlsPower switchin
Другие транзисторы... 2N6618 , 2N6619 , 2N662 , 2N6620 , 2N6621 , 2N6622 , 2N663 , 2N6648 , A1015 , 2N665 , 2N6650 , 2N6653 , 2N6653-1 , 2N6653-2 , 2N6653-3 , 2N6653A , 2N6653B .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050