BUL54ASMD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUL54ASMD  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 500 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 12

Encapsulados: TO276AB

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BUL54ASMD datasheet

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BUL54ASMD

BUL54ASMD ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING (tf = 40ns) EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE HIGH ENERGY RATING E

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BUL54A SM SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE 11.5 2.0 0.25 HIGH VOLTAGE 3.5 3.5 3.0 FAST SWITCHING (tf = 40ns) EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE 1 3 HIGH ENERGY RATING EFFICIENT POWER SWITCHING 2 MILITARY AND HI REL

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