Справочник транзисторов. BUL54ASMD

 

Биполярный транзистор BUL54ASMD Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL54ASMD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: TO276AB
 

 Аналог (замена) для BUL54ASMD

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL54ASMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:20K  semelab
 bul54asmd.pdf pdf_icon

BUL54ASMD

BUL54ASMDADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGEHIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIEHIGH VOLTAGE FAST SWITCHING (tf = 40ns)EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE HIGH ENERGY RATINGE

 8.1. Size:15K  semelab
 bul54a-sm.pdf pdf_icon

BUL54ASMD

BUL54ASMSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGEHIGH SPEED NPNSILICON POWER TRANSISTORSEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE11.52.00.25 HIGH VOLTAGE3.5 3.5 3.0FAST SWITCHING (tf = 40ns)EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE PERFORMANCE1 3HIGH ENERGY RATINGEFFICIENT POWER SWITCHING2MILITARY AND HIREL

 8.2. Size:137K  semelab
 bul54a-to5.pdf pdf_icon

BUL54ASMD

SILICON POWER NPN TRANSISTOR BUL54A-TO5 Advanced Distributed Base design High Voltage Fast Switching High Energy Rating Screening Options Available Features: Features:Features:Features: Multibase for efficient energy distribution across the chip resulting in significantly improved switching and energy ratings across full temperature range.

 8.3. Size:15K  semelab
 bul54a-t257f.pdf pdf_icon

BUL54ASMD

BUL54A-T257FSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mmHIGH VOLTAGE4.50HIGH SPEED NPN4.8110.400.7510.800.95SILICON POWER TRANSISTOR3.50Dia.3.70Designed for use in electronic ballast applications1 2 31.0 dia.3 places SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING0.750.852.54 2.65

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BUL72A , BUL72B , BUL52ASMD , BUL52BSMD , BUL53ASMD , BUL53B-SM , BUL53BSMD , BUL54A-SM , BC558 , BUL54A-T257F , BUL54A-TO5 , BUL54BSMD , TIP36CP , BUL5555 , BUL55ASMD , BUL55BSMD , BUL56ASMD .

History: 2SC2295 | MRF476 | 2SC2255 | 2SA346 | NKT20339 | RD9FE-T | GF142

 

 
Back to Top

 


 
.