BUL57AN2B Todos los transistores

 

BUL57AN2B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUL57AN2B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 22 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 280 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO276AB
 

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BUL57AN2B Datasheet (PDF)

 6.1. Size:341K  semelab
 bul57an2a-b.pdf pdf_icon

BUL57AN2B

HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTOR BUL57AN2A, BUL57AN2B High Voltage, High Current Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Electronic Ballast, Switch Mode Power Supply Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 200V VCEO Collector Emitter Volta

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