BUL57AN2B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUL57AN2B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 70 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 280 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO276AB

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BUL57AN2B datasheet

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BUL57AN2B

HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTOR BUL57AN2A, BUL57AN2B High Voltage, High Current Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Electronic Ballast, Switch Mode Power Supply Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 200V VCEO Collector Emitter Volta

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