BUL57AN2B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUL57AN2B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 22 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 280 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO276AB
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUL57AN2B
BUL57AN2B Datasheet (PDF)
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bul57an2a-b.pdf
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HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTOR BUL57AN2A, BUL57AN2B High Voltage, High Current Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Electronic Ballast, Switch Mode Power Supply Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 200V VCEO Collector Emitter Volta
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
