BUL57AN2B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUL57AN2B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 280 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO276AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUL57AN2B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL57AN2B даташит

 6.1. Size:341K  semelab
 bul57an2a-b.pdf pdf_icon

BUL57AN2B

HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTOR BUL57AN2A, BUL57AN2B High Voltage, High Current Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Electronic Ballast, Switch Mode Power Supply Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 200V VCEO Collector Emitter Volta

Другие транзисторы: BUL54BSMD, TIP36CP, BUL5555, BUL55ASMD, BUL55BSMD, BUL56ASMD, BUL56BSMD, BUL57AN2A, S9013, BUL58ASMD, BUL58BSMD, BUL62A, KA4A3Q, KA4A4L, KA4A4M, KA4A4P, KA4A4Z