Справочник транзисторов. BUL57AN2B

 

Биполярный транзистор BUL57AN2B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BUL57AN2B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 280 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO276AB

 Аналоги (замена) для BUL57AN2B

 

 

BUL57AN2B Datasheet (PDF)

 6.1. Size:341K  semelab
bul57an2a-b.pdf

BUL57AN2B BUL57AN2B

HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTOR BUL57AN2A, BUL57AN2B High Voltage, High Current Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Electronic Ballast, Switch Mode Power Supply Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 200V VCEO Collector Emitter Volta

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top