Справочник транзисторов. BUL57AN2B

 

Биполярный транзистор BUL57AN2B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BUL57AN2B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 280 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO276AB
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BUL57AN2B Datasheet (PDF)

 6.1. Size:341K  semelab
 bul57an2a-b.pdf pdf_icon

BUL57AN2B

HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTOR BUL57AN2A, BUL57AN2B High Voltage, High Current Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally Suited For Electronic Ballast, Switch Mode Power Supply Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 200V VCEO Collector Emitter Volta

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: DTB123E | GI2716 | 2SC6067 | 2SC1401 | 2SC1460 | TD13005SMD | BC327P

 

 
Back to Top

 


 
.