BUL62A Todos los transistores

 

BUL62A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUL62A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 500 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 45 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 12
   Paquete / Cubierta: TO251

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BUL62A Datasheet (PDF)

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BUL62A BUL62A

BUL62ASEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mm (inches)HIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)SILICON POWER TRANSISTOR5.46 (0.215) 0.94 (0.037)1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in electronic ballast applications5.97 (0.235)6.22 (0.245)1 2 3 SEMEFAB DESI

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BUL62A BUL62A

BUL62BSEMELABADVANCEDMECHANICAL DATADISTRIBUTED BASE DESIGNDimensions in mm (inches)HIGH VOLTAGE2.18 (0.086)2.44 (0.096)6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN6.78 (0.267)5.21 (0.205) 0.84 (0.033)SILICON POWER TRANSISTOR5.46 (0.215) 0.94 (0.037)1.09 (0.043)1.30 (0.051)Designed for use in electronic ballast applications5.97 (0.235)6.22 (0.245)1 2 3 SEMEFAB DESI

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