BUL62A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUL62A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 45 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BUL62A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUL62A даташит

 ..1. Size:57K  semelab
 bul62a.pdf pdf_icon

BUL62A

BUL62A SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm (inches) HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) SILICON POWER TRANSISTOR 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in electronic ballast applications 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) 1 2 3 SEMEFAB DESI

 9.1. Size:14K  semelab
 bul62b.pdf pdf_icon

BUL62A

BUL62B SEME LAB ADVANCED MECHANICAL DATA DISTRIBUTED BASE DESIGN Dimensions in mm (inches) HIGH VOLTAGE 2.18 (0.086) 2.44 (0.096) 6.40 (0.252) HIGH SPEED NPN 6.78 (0.267) 5.21 (0.205) 0.84 (0.033) SILICON POWER TRANSISTOR 5.46 (0.215) 0.94 (0.037) 1.09 (0.043) 1.30 (0.051) Designed for use in electronic ballast applications 5.97 (0.235) 6.22 (0.245) 1 2 3 SEMEFAB DESI

Другие транзисторы: BUL55ASMD, BUL55BSMD, BUL56ASMD, BUL56BSMD, BUL57AN2A, BUL57AN2B, BUL58ASMD, BUL58BSMD, 13005, KA4A3Q, KA4A4L, KA4A4M, KA4A4P, KA4A4Z, KA4F3M, KA4F3P, KA4F3R