KC807A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KC807A  📄📄 

Código: 5A_5B_5C

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23

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KC807A datasheet

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KC807A

SMD Type Transistors SMD Type PNP Transistors BC807A (KC807A) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features For general AF applications. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 High collector current. +0.1 1.9 -0.1 High current gain. Low collector-emitter saturation voltage. 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit

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KC807A

SMD Type Transistors PNP Transistors BC807W (KC807W) Features Ldeally suited for automatic insertion Epitaxial planar die construction Complementary to BC817W 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -50 Collector - Emitter Voltage VCEO -45 V Emitter - Base Voltage VEBO -5

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KC807A

SMD Type Transistors PNP Silicon AF Transistors KC807(BC807) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features For general AF applications. 12 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 High collector current. +0.1 1.9-0.1 High current gain. Low collector-emitter saturation voltage. 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collect

Otros transistores... KA4L4M, KA4L4Z, KC327, KC337, KC556, KC557, KC558, KC807, D882P, KC807W, KC808, KC808A, KC817-16, KC817-25, KC817-40, KC817A-16, KC817A-25