KC807A Todos los transistores

 

KC807A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC807A
   Código: 5A_5B_5C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.31 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23

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KC807A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  kexin
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KC807A KC807A

SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsBC807A (KC807A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesFor general AF applications.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01High collector current.+0.11.9 -0.1High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

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KC807A KC807A

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC807W (KC807W) Features Ldeally suited for automatic insertion Epitaxial planar die construction Complementary to BC817W1.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -50 Collector - Emitter Voltage VCEO -45 V Emitter - Base Voltage VEBO -5

 9.2. Size:40K  kexin
kc807.pdf

KC807A KC807A

SMD Type TransistorsPNP Silicon AF TransistorsKC807(BC807)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesFor general AF applications.12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01High collector current.+0.11.9-0.1High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollect

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