Биполярный транзистор KC807A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KC807A
Маркировка: 5A_5B_5C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
KC807A Datasheet (PDF)
kc807a.pdf
SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsBC807A (KC807A)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13FeaturesFor general AF applications.1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01High collector current.+0.11.9 -0.1High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
kc807w.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC807W (KC807W) Features Ldeally suited for automatic insertion Epitaxial planar die construction Complementary to BC817W1.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -50 Collector - Emitter Voltage VCEO -45 V Emitter - Base Voltage VEBO -5
kc807.pdf
SMD Type TransistorsPNP Silicon AF TransistorsKC807(BC807)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesFor general AF applications.12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01High collector current.+0.11.9-0.1High current gain.Low collector-emitter saturation voltage.1.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollect
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
