KC850 Todos los transistores

 

KC850 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC850
   Código: 2F*_2G*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KC850 PDF detailed specifications

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KC850

SMD Type Transistors NPN Transistors BC849 BC850 (KC849 KC850) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). PNP complements BC859 and BC860. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec... See More ⇒

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 kc849w kc850w.pdf pdf_icon

KC850

SMD Type Transistors NPN Transistors BC849W BC850W (KC849W KC850W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC859W/BC860W C 1.Base 2.Emitter B 3.Collector E Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC849W 30 Collector - Base Voltage VCBO BC850W 50 BC849W 30 V Collector - Emitter Voltage VC... See More ⇒

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