KC850 - описание и поиск аналогов

 

KC850 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KC850
   Маркировка: 2F*_2G*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KC850

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC850 - технические параметры

 ..1. Size:829K  kexin
 kc849 kc850.pdf pdf_icon

KC850

SMD Type Transistors NPN Transistors BC849 BC850 (KC849 KC850) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). PNP complements BC859 and BC860. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec

 0.1. Size:686K  kexin
 kc849w kc850w.pdf pdf_icon

KC850

SMD Type Transistors NPN Transistors BC849W BC850W (KC849W KC850W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC859W/BC860W C 1.Base 2.Emitter B 3.Collector E Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC849W 30 Collector - Base Voltage VCBO BC850W 50 BC849W 30 V Collector - Emitter Voltage VC

Другие транзисторы... KCX55 , KCX56 , KCX591 , KCX69 , KCX70 , KCX71 , KC849 , KC849W , NJW0281G , KC850W , KC856 , KC856A , KC856B , KC856BS , KC856S , KC856W , KC857 .

History: 9013G | NA22XJ | 9014G | NA22ZJ | NA11HI | NA02EJ

 

 
Back to Top

 


 
.