Биполярный транзистор KC850 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KC850
Маркировка: 2F*_2G*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23
KC850 Datasheet (PDF)
kc849 kc850.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC849~BC850 (KC849~KC850)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). PNP complements: BC859 and BC860. 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec
kc849w kc850w.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsBC849W ~ BC850W(KC849W ~ KC850W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC859W/BC860WC1.Base2.EmitterB3.CollectorE Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitBC849W 30 Collector - Base Voltage VCBOBC850W 50BC849W 30 V Collector - Emitter Voltage VC
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
