KC859W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KC859W  📄📄 

Código: 4D*_4B*_4C*

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 220

Encapsulados: SOT323

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KC859W datasheet

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KC859W

SMD Type Transistors PNP Transistors BC859W,BC860W (KC859W,KC860W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC849W and BC850W. C B 1.Base 2.Emitter E 3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC859W -30 Collector - Base Voltage VCBO BC860W -50 BC859W -30 V Collector - Emitter Voltag

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KC859W

SMD Type Transistors PNP Transistors BC859 BC860 (KC859 KC860) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). NPN complements BC849 and BC850. 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec

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