KC859W Todos los transistores

 

KC859W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC859W
   Código: 4D*_4B*_4C*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 220
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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KC859W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  kexin
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KC859W

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC859W,BC860W(KC859W,KC860W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC849W and BC850W.CB1.Base2.EmitterE3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitBC859W -30 Collector - Base Voltage VCBOBC860W -50BC859W -30 V Collector - Emitter Voltag

 9.1. Size:823K  kexin
 kc859 kc860.pdf pdf_icon

KC859W

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC859~BC860 (KC859~KC860)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). NPN complements: BC849 and BC850.1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec

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History: MUN5315DW

 

 
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