KC859W Todos los transistores

 

KC859W Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KC859W
   Código: 4D*_4B*_4C*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 220
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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KC859W PDF detailed specifications

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KC859W

SMD Type Transistors PNP Transistors BC859W,BC860W (KC859W,KC860W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC849W and BC850W. C B 1.Base 2.Emitter E 3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC859W -30 Collector - Base Voltage VCBO BC860W -50 BC859W -30 V Collector - Emitter Voltag... See More ⇒

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KC859W

SMD Type Transistors PNP Transistors BC859 BC860 (KC859 KC860) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). NPN complements BC849 and BC850. 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec... See More ⇒

Otros transistores... KC857T , KC857W , KC858 , KC858A , KC858B , KC858C , KC858W , KC859 , BD136 , KC860 , KC860W , RN1116F , RN1114FT , RN1115FT , KCP51 , KCP52 , KCP53 .

History: NA22XJ | NA12EJ | NA02EJ | 9014G | NA11HI | KC856BS

 

 
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