KC860W . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KC860W
Código: 4H*_4F*_4G*
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 220
Paquete / Cubierta: SOT323
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KC860W Datasheet (PDF)
kc859w kc860w.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC859W,BC860W(KC859W,KC860W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC849W and BC850W.CB1.Base2.EmitterE3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitBC859W -30 Collector - Base Voltage VCBOBC860W -50BC859W -30 V Collector - Emitter Voltag
kc859 kc860.pdf
SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC859~BC860 (KC859~KC860)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). NPN complements: BC849 and BC850.1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050