KC860W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KC860W  📄📄 

Маркировка: 4H*_4F*_4G*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KC860W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC860W даташит

 ..1. Size:695K  kexin
 kc859w kc860w.pdf pdf_icon

KC860W

SMD Type Transistors PNP Transistors BC859W,BC860W (KC859W,KC860W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC849W and BC850W. C B 1.Base 2.Emitter E 3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC859W -30 Collector - Base Voltage VCBO BC860W -50 BC859W -30 V Collector - Emitter Voltag

 9.1. Size:823K  kexin
 kc859 kc860.pdf pdf_icon

KC860W

SMD Type Transistors PNP Transistors BC859 BC860 (KC859 KC860) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). NPN complements BC849 and BC850. 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec

Другие транзисторы: KC858, KC858A, KC858B, KC858C, KC858W, KC859, KC859W, KC860, B647, RN1116F, RN1114FT, RN1115FT, KCP51, KCP52, KCP53, KCP53-16, KCP54