Справочник транзисторов. KC860W

 

Биполярный транзистор KC860W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KC860W
   Маркировка: 4H*_4F*_4G*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для KC860W

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC860W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  kexin
 kc859w kc860w.pdf pdf_icon

KC860W

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC859W,BC860W(KC859W,KC860W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC849W and BC850W.CB1.Base2.EmitterE3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitBC859W -30 Collector - Base Voltage VCBOBC860W -50BC859W -30 V Collector - Emitter Voltag

 9.1. Size:823K  kexin
 kc859 kc860.pdf pdf_icon

KC860W

SMD Type TransistorsPNP TransistorsBC859~BC860 (KC859~KC860)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). NPN complements: BC849 and BC850.1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collec

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.