KC860W - описание и поиск аналогов

 

KC860W - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KC860W
   Маркировка: 4H*_4F*_4G*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для KC860W

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC860W - технические параметры

 ..1. Size:695K  kexin
 kc859w kc860w.pdf pdf_icon

KC860W

SMD Type Transistors PNP Transistors BC859W,BC860W (KC859W,KC860W) Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). Complements to BC849W and BC850W. C B 1.Base 2.Emitter E 3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit BC859W -30 Collector - Base Voltage VCBO BC860W -50 BC859W -30 V Collector - Emitter Voltag

 9.1. Size:823K  kexin
 kc859 kc860.pdf pdf_icon

KC860W

SMD Type Transistors PNP Transistors BC859 BC860 (KC859 KC860) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). NPN complements BC849 and BC850. 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collec

Другие транзисторы... KC858 , KC858A , KC858B , KC858C , KC858W , KC859 , KC859W , KC860 , B647 , RN1116F , RN1114FT , RN1115FT , KCP51 , KCP52 , KCP53 , KCP53-16 , KCP54 .

History: KCX70

 

 
Back to Top

 


 
.