CXT3150 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CXT3150
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
Paquete / Cubierta: SOT89
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CXT3150 Datasheet (PDF)
cxt3150.pdf

CXT3150www.centralsemi.comSURFACE MOUNT DESCRIPTION:NPN SILICON POWER TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3150 type is a NPN Silicon Power Transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, high gain, fast switching applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-89 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYM
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History: 2N2060L | BC456B | 2N4306 | 2SA197 | ET405
History: 2N2060L | BC456B | 2N4306 | 2SA197 | ET405



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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