Биполярный транзистор CXT3150 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CXT3150
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
CXT3150 Datasheet (PDF)
cxt3150.pdf

CXT3150www.centralsemi.comSURFACE MOUNT DESCRIPTION:NPN SILICON POWER TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3150 type is a NPN Silicon Power Transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, high gain, fast switching applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-89 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYM
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: CD3759 | MPS2484 | ZTX614 | BF321 | 2SC889 | BD120 | ECH8503-TL-H
History: CD3759 | MPS2484 | ZTX614 | BF321 | 2SC889 | BD120 | ECH8503-TL-H



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet