CXT3150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXT3150

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для CXT3150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CXT3150 даташит

 ..1. Size:352K  central
 cxt3150.pdf pdf_icon

CXT3150

CXT3150 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT DESCRIPTION NPN SILICON POWER TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3150 type is a NPN Silicon Power Transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, high gain, fast switching applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYM

Другие транзисторы: CZT751, CPH5901, CPH5902, CPH5905, CS684, CSA1162, CSC2712, CXT3090L, 431, CXT3410, CXT3820, CXT491E, CXT5401E, CXT5551E, CXT5551HC, CXT591E, CXT7090L