CXT3410 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CXT3410

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT89

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CXT3410 datasheet

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CXT3410

CXT3410 NPN CXT7410 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3410 and SILICON TRANSISTORS CXT7410 are Low VCE(SAT) NPN and PNP silicon transistors packaged in the SOT-89 case. High collector current coupled with a low saturation voltage make this an ideal choice for industrial/consumer applications where operation

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