CXT3410 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXT3410

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для CXT3410

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CXT3410 даташит

 ..1. Size:286K  central
 cxt3410 cxt7410.pdf pdf_icon

CXT3410

CXT3410 NPN CXT7410 PNP www.centralsemi.com SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT3410 and SILICON TRANSISTORS CXT7410 are Low VCE(SAT) NPN and PNP silicon transistors packaged in the SOT-89 case. High collector current coupled with a low saturation voltage make this an ideal choice for industrial/consumer applications where operation

Другие транзисторы: CPH5901, CPH5902, CPH5905, CS684, CSA1162, CSC2712, CXT3090L, CXT3150, S9018, CXT3820, CXT491E, CXT5401E, CXT5551E, CXT5551HC, CXT591E, CXT7090L, CXT7410