CXT591E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CXT591E
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT89
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CXT591E Datasheet (PDF)
cxt591e.pdf
CXT591Ewww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:PNP TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-89 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollect
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Liste
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