CXT591E Todos los transistores

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CXT591E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CXT591E

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 200

Empaquetado / Estuche: SOT89

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CXT591E Datasheet (PDF)

1.1. cxt591e.pdf Size:528K _central

CXT591E
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CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION: PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS Collect

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