CXT591E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CXT591E

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT89

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CXT591E datasheet

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CXT591E

CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collect

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