CXT591E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CXT591E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для CXT591E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CXT591E даташит

 ..1. Size:528K  central
 cxt591e.pdf pdf_icon

CXT591E

CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) SYMBOL UNITS Collect

Другие транзисторы: CXT3090L, CXT3150, CXT3410, CXT3820, CXT491E, CXT5401E, CXT5551E, CXT5551HC, B647, CXT7090L, CXT7410, CXT7820, RN2609, CTLM3410-M832D, CTLM3474-M832D, CTLM7410-M832D, CTLT3410-M621