Справочник транзисторов. CXT591E

 

Биполярный транзистор CXT591E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CXT591E
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для CXT591E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CXT591E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:528K  central
 cxt591e.pdf pdf_icon

CXT591E

CXT591Ewww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:PNP TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-89 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollect

Другие транзисторы... CXT3090L , CXT3150 , CXT3410 , CXT3820 , CXT491E , CXT5401E , CXT5551E , CXT5551HC , 2SD882 , CXT7090L , CXT7410 , CXT7820 , RN2609 , CTLM3410-M832D , CTLM3474-M832D , CTLM7410-M832D , CTLT3410-M621 .

 

 
Back to Top

 


 
.