CZT853 Todos los transistores

 

CZT853 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CZT853
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 190 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 38 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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CZT853 Datasheet (PDF)

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CZT853

CZT853www.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT853 type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERPNP Complement: CZT953SOT-223

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