CZT853 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CZT853

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 190 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 38 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT223

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CZT853 datasheet

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CZT853

CZT853 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT853 type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER PNP Complement CZT953 SOT-223

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