Биполярный транзистор CZT853 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: CZT853
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам