CZT853 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CZT853

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT853

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT853 даташит

 ..1. Size:529K  central
 czt853.pdf pdf_icon

CZT853

CZT853 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT HIGH CURRENT DESCRIPTION NPN SILICON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT853 type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING FULL PART NUMBER PNP Complement CZT953 SOT-223

Другие транзисторы: CV7724, CV7724-O, CV7874, CV10254, CV10806, CV12253L-O, CV7333, CV7334, BD140, CZT953, CZT955, CZTA28, CZTA44HC, CZTA46, CZTA77, CZTA94, CZTA96