CZT2680 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CZT2680

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT223

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CZT2680 datasheet

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CZT2680

CZT2680 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com HIGH VOLTAGE DESCRIPTION NPN SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2680 SWITCHING POWER TRANSISTOR NPN High Voltage Switching Power Transistor, manufactured by the epitaxial planar process, combines both power and high speed switching characteristics in a SOT-223 Surface Mount Package. Typical applications include drivers and general h

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