CZT2680 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CZT2680
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: SOT223
- Selección de transistores por parámetros
CZT2680 Datasheet (PDF)
czt2680.pdf

CZT2680SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comHIGH VOLTAGE DESCRIPTION:NPN SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2680 SWITCHING POWER TRANSISTORNPN High Voltage Switching Power Transistor, manufactured by the epitaxial planar process, combines both power and high speed switching characteristics in a SOT-223 Surface Mount Package. Typical applications include drivers and general h
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History: MPS6532 | KT339AM | JA100R | KTC3226 | TRR30-06 | 5302D | BU105-02
History: MPS6532 | KT339AM | JA100R | KTC3226 | TRR30-06 | 5302D | BU105-02



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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