CZT2680 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CZT2680

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для CZT2680

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CZT2680 даташит

 ..1. Size:596K  central
 czt2680.pdf pdf_icon

CZT2680

CZT2680 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com HIGH VOLTAGE DESCRIPTION NPN SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2680 SWITCHING POWER TRANSISTOR NPN High Voltage Switching Power Transistor, manufactured by the epitaxial planar process, combines both power and high speed switching characteristics in a SOT-223 Surface Mount Package. Typical applications include drivers and general h

Другие транзисторы: CV7342A-0, CV7343A, CV7343A-O, CV7345A, CXTA62, CYT7090LD, CZD13003, CZT2000, 2SA1837, CZT3090L, CZT3090LE, CV7345A-O, CV7346A-O, CV7362, CV7366, CV7366A, CV7366A-O