Биполярный транзистор CZT2680 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CZT2680
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT223
CZT2680 Datasheet (PDF)
..1. Size:596K central
czt2680.pdf
czt2680.pdf
CZT2680SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comHIGH VOLTAGE DESCRIPTION:NPN SILICONThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT2680 SWITCHING POWER TRANSISTORNPN High Voltage Switching Power Transistor, manufactured by the epitaxial planar process, combines both power and high speed switching characteristics in a SOT-223 Surface Mount Package. Typical applications include drivers and general h
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050