2SB0950A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB0950A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Paquete / Cubierta: TO220FM
Búsqueda de reemplazo de 2SB0950A
2SB0950A datasheet
2sb0950-a 2sb950-a.pdf
Power Transistors 2SB0950 (2SB950), 2SB0950A (2SB950A) Silicon PNP epitaxial planar type darlington Unit mm For power amplification and switching 10.0 0.2 4.2 0.2 Complementary to 2SD1276 and 2SD1276A 5.5 0.2 2.7 0.2 Features 3.1 0.1 High forward current transfer ratio hFE High-speed switching Full-pack package which can be installed to the heat sink with on
Otros transistores... 2SB1182GP , 2SB1182P , 2SB1182Q , 2SB1182R , 2SB1184P , 2SB1184Q , 2SB1184R , 2SB0950 , 2N5551 , 2SB1073Q , 2SB1073R , INA1001AC1 , INA6001AC1 , INA6001AP1 , INA6002AC1 , INA6005AC1 , INA6005AP1 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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