2SB0950A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB0950A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO220FM

 Аналоги (замена) для 2SB0950A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB0950A даташит

 7.1. Size:195K  panasonic
 2sb0950-a 2sb950-a.pdf pdf_icon

2SB0950A

Power Transistors 2SB0950 (2SB950), 2SB0950A (2SB950A) Silicon PNP epitaxial planar type darlington Unit mm For power amplification and switching 10.0 0.2 4.2 0.2 Complementary to 2SD1276 and 2SD1276A 5.5 0.2 2.7 0.2 Features 3.1 0.1 High forward current transfer ratio hFE High-speed switching Full-pack package which can be installed to the heat sink with on

Другие транзисторы: 2SB1182GP, 2SB1182P, 2SB1182Q, 2SB1182R, 2SB1184P, 2SB1184Q, 2SB1184R, 2SB0950, 2N5551, 2SB1073Q, 2SB1073R, INA1001AC1, INA6001AC1, INA6001AP1, INA6002AC1, INA6005AC1, INA6005AP1