INA1001AC1 Todos los transistores

 

INA1001AC1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: INA1001AC1
   Código: AFD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 95
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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INA1001AC1 Datasheet (PDF)

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INA1001AC1

INA1001AC1PRELIMINARY NoticeThis is not a final specification FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSome parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm 2.8 INA1001AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE

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History: 2SC5875 | BCW64A

 

 
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