Справочник транзисторов. INA1001AC1

 

Биполярный транзистор INA1001AC1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: INA1001AC1
   Маркировка: AFD
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 95
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для INA1001AC1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

INA1001AC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  isahaya
 ina1001ac1.pdf pdf_icon

INA1001AC1

INA1001AC1PRELIMINARY NoticeThis is not a final specification FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSome parametric are subject to change. SILICON PNP EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm 2.8 INA1001AC1 is a silicon PNP epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE

Другие транзисторы... 2SB1182R , 2SB1184P , 2SB1184Q , 2SB1184R , 2SB0950 , 2SB0950A , 2SB1073Q , 2SB1073R , TIP41 , INA6001AC1 , INA6001AP1 , INA6002AC1 , INA6005AC1 , INA6005AP1 , INA6006AC1 , INA6006AP1 , INA6006AS1 .

 

 
Back to Top

 


 
.