INC1001AC1 Todos los transistores

 

INC1001AC1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: INC1001AC1
   Código: CFD
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 95
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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INC1001AC1 Datasheet (PDF)

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INC1001AC1

INC1001AC1FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini package for easy mounting High collector current(IC=500mA) Low coll

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History: CSB621S | BR3DD5555R

 

 
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