Справочник транзисторов. INC1001AC1

 

Биполярный транзистор INC1001AC1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: INC1001AC1
   Маркировка: CFD
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 95
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

INC1001AC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  isahaya
inc1001ac1.pdfpdf_icon

INC1001AC1

INC1001AC1FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNITmm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini package for easy mounting High collector current(IC=500mA) Low coll

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: NSS40200UW6T1G | KD140 | MJD117T4 | GS9012 | H421 | 2SC1042 | BC856AWT1

 

 
Back to Top

 


 
.