INC1001AC1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: INC1001AC1

Маркировка: CFD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 95

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для INC1001AC1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

INC1001AC1 даташит

 ..1. Size:119K  isahaya
 inc1001ac1.pdf pdf_icon

INC1001AC1

INC1001AC1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT mm 2.8 INC1001AC1 is a silicon NPN epitaxial type transistor. 0.65 1.5 0.65 It is designed with high collector current and small VCE(sat). FEATURE Super mini package for easy mounting High collector current(IC=500mA) Low coll

Другие транзисторы: INA6005AC1, INA6005AP1, INA6006AC1, INA6006AP1, INA6006AS1, KZT949, KZT951, KZT953, TIP3055, INC2001AC1, INC2001AM1, INC2001AU1, HIT1577, HLB121, HN1B01FDW1T1G, HN2E04F, HN4B101J