HN2E04F Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN2E04F

Código: 32G_32L

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SM6

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HN2E04F datasheet

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HN2E04F

HN2E04F TOSHIBA MULTI CHIP DISCRETE DEVICE HN2E04F Super High Speed Switching Application Unit mm Audio Frequency Amplifier Application Audio Low Noise Amplifier Application Q1 High Voltage VCEO = 120V High DC Current Gain hFE = 200 to 700 Good hFE Linearity hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95 Q2 Low Forward Voltage Drop VF(3) = 0.98V (typ.) Fast Reverse

Otros transistores... KZT953, INC1001AC1, INC2001AC1, INC2001AM1, INC2001AU1, HIT1577, HLB121, HN1B01FDW1T1G, TIP31C, HN4B101J, HN4B102J, HQ1A3M, HQ1A4A, HQ1F2Q, HQ1F3M, HQ1F3P, HQ1L2N