HN2E04F Todos los transistores

 

HN2E04F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN2E04F
   Código: 32G_32L
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SM6
 

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HN2E04F Datasheet (PDF)

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HN2E04F

HN2E04F TOSHIBA MULTI CHIP DISCRETE DEVICE HN2E04F Super High Speed Switching Application Unit: mmAudio Frequency Amplifier Application Audio Low Noise Amplifier Application Q1 High Voltage : VCEO = 120V High DC Current Gain : hFE = 200 to 700 Good hFE Linearity : hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95 Q2 Low Forward Voltage Drop : VF(3) = 0.98V (typ.) Fast Reverse

Otros transistores... KZT953 , INC1001AC1 , INC2001AC1 , INC2001AM1 , INC2001AU1 , HIT1577 , HLB121 , HN1B01FDW1T1G , 100DA025D , HN4B101J , HN4B102J , HQ1A3M , HQ1A4A , HQ1F2Q , HQ1F3M , HQ1F3P , HQ1L2N .

 

 
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