Справочник транзисторов. HN2E04F

 

Биполярный транзистор HN2E04F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN2E04F
   Маркировка: 32G_32L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SM6
 

 Аналог (замена) для HN2E04F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN2E04F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  toshiba
 hn2e04f.pdf pdf_icon

HN2E04F

HN2E04F TOSHIBA MULTI CHIP DISCRETE DEVICE HN2E04F Super High Speed Switching Application Unit: mmAudio Frequency Amplifier Application Audio Low Noise Amplifier Application Q1 High Voltage : VCEO = 120V High DC Current Gain : hFE = 200 to 700 Good hFE Linearity : hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95 Q2 Low Forward Voltage Drop : VF(3) = 0.98V (typ.) Fast Reverse

Другие транзисторы... KZT953 , INC1001AC1 , INC2001AC1 , INC2001AM1 , INC2001AU1 , HIT1577 , HLB121 , HN1B01FDW1T1G , 100DA025D , HN4B101J , HN4B102J , HQ1A3M , HQ1A4A , HQ1F2Q , HQ1F3M , HQ1F3P , HQ1L2N .

History: 2SC395AR | PBSS4350SS | MRF517 | INC6001AC1 | PBSS4350D | GC120 | BCW92KA

 

 
Back to Top

 


 
.