Биполярный транзистор HN2E04F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HN2E04F
Маркировка: 32G_32L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SM6
HN2E04F Datasheet (PDF)
..1. Size:327K toshiba
hn2e04f.pdf
hn2e04f.pdf
HN2E04F TOSHIBA MULTI CHIP DISCRETE DEVICE HN2E04F Super High Speed Switching Application Unit: mmAudio Frequency Amplifier Application Audio Low Noise Amplifier Application Q1 High Voltage : VCEO = 120V High DC Current Gain : hFE = 200 to 700 Good hFE Linearity : hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95 Q2 Low Forward Voltage Drop : VF(3) = 0.98V (typ.) Fast Reverse
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050