HN2E04F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN2E04F

Маркировка: 32G_32L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SM6

 Аналоги (замена) для HN2E04F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN2E04F даташит

 ..1. Size:327K  toshiba
 hn2e04f.pdf pdf_icon

HN2E04F

HN2E04F TOSHIBA MULTI CHIP DISCRETE DEVICE HN2E04F Super High Speed Switching Application Unit mm Audio Frequency Amplifier Application Audio Low Noise Amplifier Application Q1 High Voltage VCEO = 120V High DC Current Gain hFE = 200 to 700 Good hFE Linearity hFE(IC = 0.1mA)/ hFE(IC = 2mA) = 0.95 Q2 Low Forward Voltage Drop VF(3) = 0.98V (typ.) Fast Reverse

Другие транзисторы: KZT953, INC1001AC1, INC2001AC1, INC2001AM1, INC2001AU1, HIT1577, HLB121, HN1B01FDW1T1G, TIP31C, HN4B101J, HN4B102J, HQ1A3M, HQ1A4A, HQ1F2Q, HQ1F3M, HQ1F3P, HQ1L2N