ISC3581AS1 Todos los transistores

 

ISC3581AS1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISC3581AS1
   Código: 581
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 55 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SC72
 

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ISC3581AS1 Datasheet (PDF)

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ISC3581AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3581AS1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3581AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed for high collector current application. Complementary with ISA1399AS1. FEATURE High collector current. ICM=600mA 0.1 High gain band width

Otros transistores... HR1L3N , KZT591 , KZT649 , KZT749 , KZT789A , KZT849 , KZT851 , KZT853 , BC558 , ISC4356AS1 , ISC6046AU1 , ISC6053AM1 , ISC6053AU1 , ISD1447AS1 , IT120 , IT120A , ISC3242AS1 .

History: LBC847CLT3G | ACY19 | DXT690BP5 | UN2210R | BFP740ESD | TI421 | DDC114TU

 

 
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