ISC3581AS1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ISC3581AS1

Código: 581

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 55 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SC72

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ISC3581AS1 datasheet

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ISC3581AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3581AS1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3581AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed for high collector current application. Complementary with ISA1399AS1. FEATURE High collector current. ICM=600mA 0.1 High gain band width

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