ISC3581AS1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISC3581AS1

Маркировка: 581

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SC72

 Аналоги (замена) для ISC3581AS1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISC3581AS1 даташит

 ..1. Size:140K  isahaya
 isc3581as1.pdf pdf_icon

ISC3581AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3581AS1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3581AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed for high collector current application. Complementary with ISA1399AS1. FEATURE High collector current. ICM=600mA 0.1 High gain band width

Другие транзисторы: HR1L3N, KZT591, KZT649, KZT749, KZT789A, KZT849, KZT851, KZT853, 2SD313, ISC4356AS1, ISC6046AU1, ISC6053AM1, ISC6053AU1, ISD1447AS1, IT120, IT120A, ISC3242AS1