Справочник транзисторов. ISC3581AS1

 

Биполярный транзистор ISC3581AS1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ISC3581AS1
   Маркировка: 581
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SC72
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ISC3581AS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  isahaya
 isc3581as1.pdf pdf_icon

ISC3581AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3581AS1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3581AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed for high collector current application. Complementary with ISA1399AS1. FEATURE High collector current. ICM=600mA 0.1 High gain band width

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: DRA3A43E | NESG250134 | T1025 | 2N2221AL | S1309 | CXTA14 | BSW59

 

 
Back to Top

 


 
.