Справочник транзисторов. ISC3581AS1

 

Биполярный транзистор ISC3581AS1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ISC3581AS1
   Маркировка: 581
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SC72
 

 Аналог (замена) для ISC3581AS1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISC3581AS1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  isahaya
 isc3581as1.pdf pdf_icon

ISC3581AS1

SMALL-SIGNAL TRANSISTOR ISC3581AS1 FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATIONSILICON NPN EPITAXIAL TYPEDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit ISC3581AS1 is a silicon NPN epitaxial type transistor 4.0 designed for high collector current application. Complementary with ISA1399AS1. FEATURE High collector current. ICM=600mA 0.1 High gain band width

Другие транзисторы... HR1L3N , KZT591 , KZT649 , KZT749 , KZT789A , KZT849 , KZT851 , KZT853 , BC558 , ISC4356AS1 , ISC6046AU1 , ISC6053AM1 , ISC6053AU1 , ISD1447AS1 , IT120 , IT120A , ISC3242AS1 .

History: 2SC5384 | DRC3124T | PIMC31 | BTA1952E3 | BF423A | AD-BC846-A | KRA301V

 

 
Back to Top

 


 
.